封装专栏｜Small die作业能力优化

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选定理由

• 目前随着芯片行业不断发展，芯片越来越小，Die size

  在（0.2X0.2mm~1.0X1.0mm）的芯片产品也越来越普遍。

• 对Die bond工序而言，因Normal die的作业参数及条件无法满足Small die作业能力需求，从而造成机台频繁报警，造成OEE缺失。

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目前现状

OEE Chart

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原因分析

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评估与执行

Small die产品Die Size:0.30X0.30~1.0X1.0,芯片尺寸偏小。Small Die按照normal产品PR Teach，芯片成像模糊，芯片识别不良，Wafer步进失准，机台频繁报警,易导致跳Die及Wrong Pitch问题的发生。

• 定义Wafer PR灯光识别Range：以芯片搜寻范围为9宫格为最佳，Alignment设定为street matching，Coaxial lighting Range：50~100；Ring lighting:0。

Small die产品使用的100mm顶针冒表面凹槽较大，作业过程中吸扯胶膜问题严重，周边邻近芯片受力倾斜，Current Chip picked,镜头搜寻Next Chip，因倾斜未及时复原导致PR识别NG。

• 采购50mm顶针冒，改良顶针冒作业平面真空槽，在满足吸真空的情况下改善吸扯胶膜异常。

平面度OK

针对Small die DAF产品吸嘴在高温及长期循环作业中（使用寿命内）将发生软化现象，导致抛Die、吸不起Die、上片不稳等诸多问题。

Small die产品芯片尺寸＜0.5mmX0.5mm,只有RT-014-014一种型号使用，不能Cover其他芯片尺寸。

• 与PE Co-work，定义Small die产品需采购平面耐高温吸嘴，并规范在线使用寿命为2天。

• 定义Flat Rubber Tip Select Rule 。

上片不稳机况修机时间较长且效率较低。

收集机台报修记录，上片不稳(含抛Die、上片不稳)报修次数频繁，影响机台正常作业。

• 定义上片不稳维修TWI，并安排供应商及工程师培训技术员修机手法。

Small die产品经上片动作使die与框架黏合，对机台上片Bond Force精度要求较高。

• 使用Bond Force校正仪器对ESEC机台进行校正；对校正后的机台使用试机料Test Run，确保各机台Bond Force精度无差异。

Normal产品可采用摆列上片测高模式，以确保每颗芯片上片高度准确无异常；

Small die产品上片测高过程中因轨道Heating作用导致吸嘴软化（为确保上片高度的准确性，不能关闭加热） ，随逐颗测高过程实际高度与标准高度偏差过大，从而引发飞Die、Die倾斜。

• Small die产品采用单一点测高&单点上片高度Offset补偿模式。（并可Cover轨道平面度差异导致测高异常。）

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效果确认

经过参数，方法，tooling改良后（Small die产品量开始稳定）

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